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画像はあくまで参考です。
70V658S10BF
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Integrated Device Technology (IDT)
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Memory
- SRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 10ns 208-Pin CABGA
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：208
- Memory Types：RAM, SDR, SRAM
- Current - Supply (Nom)：500mA
- Published：2009
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：no
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：208
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn63Pb37)
- Max Operating Temperature：70°C
- Min Operating Temperature：0°C
- Voltage - Supply：3.3V
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：BALL
- Peak Reflow Temperature (Cel)：225
- Number of Functions：1
- Terminal Pitch：0.8mm
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：20
- Temperature Grade：COMMERCIAL
- Interface：Parallel
- Memory Size：256kB
- Number of Ports：2
- Access Time：10 ns
- Organization：64KX36
- Output Characteristics：3-STATE
- Address Bus Width：32b
- Density：2.3 Mb
- Standby Current-Max：0.015A
- I/O Type：COMMON
- Sync/Async：Asynchronous
- Word Size：36b
- Voltage - Supply (Max)：3.45V
- Voltage - Supply (Min)：3.15V
- Length：15mm
- Width：15mm
- Thickness：1.4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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