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2N3810U/TR
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Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- TO-78-6 Metal Can
- TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Date Sheet
在庫數 6
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-78-6 Metal Can
- Supplier Device Package：TO-78-6
- Mfr：Microchip Technology
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：Active
- Current-Collector (Ic) (Max)：50mA
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：350 mW
- Transistor Polarity：PNP
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：100 at 10 uA, 5 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：200 mV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip Technology
- Maximum DC Collector Current：50 mA
- DC Current Gain hFE Max：450 at 100 uA, 5 V
- RoHS：N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：60 V
- Series：-
- Operating Temperature：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Packaging：Reel
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Configuration：Dual
- Power - Max：350mW
- Product Type：BJTs - Bipolar Transistors
- Transistor Type：2 PNP (Dual)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：150 @ 1mA, 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10μA (ICBO)
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 100μA, 1mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：60V
- Frequency - Transition：-
- Collector Base Voltage (VCBO)：60 V
- Product Category：Bipolar Transistors - BJT
在庫數 6
小計金額 $0.00000
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