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APT9M100S/TR
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Microchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268
Date Sheet
在庫數 405
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Mounting Type：Surface Mount
- Supplier Device Package：D3PAK
- Base Product Number：APT9M100
- Power Dissipation (Max)：335W (Tc)
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 1mA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A (Tc)
- Product Status：Active
- Mfr：Microchip Technology
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：400
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip Technology
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1 kV
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：335 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：30 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：80 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：1.4 Ohms
- Id - Continuous Drain Current：9 A
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Packaging：Reel
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4Ohm @ 5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2605 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：80 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1000 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
- Product Category：Microchip Technology
在庫數 405
小計金額 $0.00000
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