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2N5678
-
Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-211MB, TO-63-4, Stud
- POWER BJT
Date Sheet
在庫數 2911
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Stud Mount
- Package / Case：TO-211MB, TO-63-4, Stud
- Surface Mount：NO
- Supplier Device Package：TO-63
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Mfr：Microchip Technology
- Package：Bulk
- Product Status：Active
- Current-Collector (Ic) (Max)：10 A
- Transistor Polarity：PNP
- Package Description：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
- Package Style：POST/STUD MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：2N5678
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.35
- Series：-
- Operating Temperature：-
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- HTS Code：8541.29.00.95
- Technology：Si
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：SOLDER LUG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：O-MUPM-D3
- Qualification Status：Not Qualified
- Power - Max：175 W
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：-
- Current - Collector Cutoff (Max)：-
- JEDEC-95 Code：TO-63
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：-
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：100 V
- Frequency - Transition：-
- Collector Current-Max (IC)：10 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：25
- Collector-Emitter Voltage-Max：100 V
在庫數 2911
小計金額 $0.00000
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