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2N4998
-
Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-210AA, TO-59-4, Stud
- POWER BJT
Date Sheet
在庫數 2146
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-210AA, TO-59-4, Stud
- Mounting Type：Stud Mount
- Mount：Stud
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：TO-59
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：2 A
- Product Status：Active
- Package：Bulk
- Mfr：Microchip Technology
- Power Dissipation (Max)：35 W
- RoHS：Non-Compliant
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip Technology
- Package Description：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
- Package Style：POST/STUD MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Manufacturer Part Number：2N4998
- Package Shape：ROUND
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC
- Risk Rank：5.77
- Operating Temperature：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Series：-
- Subcategory：Transistors
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：O-MUPM-X3
- Polarity：NPN
- Power Dissipation：35 W
- Power - Max：35 W
- Polarity/Channel Type：NPN
- Product Type：BJTs - Bipolar Transistors
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80 V
- Max Collector Current：2 A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：-
- Current - Collector Cutoff (Max)：-
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：850mV @ 200μA, 1mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：80 V
- Frequency - Transition：-
- Collector Current-Max (IC)：2 A
- Collector-Emitter Voltage-Max：80 V
- Product Category：Bipolar Transistors - BJT
- Radiation Hardening：No
在庫數 2146
小計金額 $0.00000
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