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画像はあくまで参考です。
APT30F50B
-
Microchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247View in Development Tools Selector
Date Sheet
在庫數 86
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-247-3
- Mounting Type：Through Hole
- Supplier Device Package：TO-247 [B]
- RoHS：Details
- Mounting Styles：Through Hole
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：500 V
- Id - Continuous Drain Current：30 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：170 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Qg - Gate Charge：115 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：415 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：Power MOS 8
- Fall Time：17 ns
- Forward Transconductance - Min：22 S
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：50 ns
- Typical Turn-On Delay Time：20 ns
- Unit Weight：0.211644 oz
- Package：Tube
- Base Product Number：APT30F50
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Power Dissipation (Max)：415W (Tc)
- Product Status：Active
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：POWER MOS 8™
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4525 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：115 nC @ 10 V
- Rise Time：23 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：500 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
- Height：5.31 mm
- Length：21.46 mm
- Width：16.26 mm
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