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画像はあくまで参考です。
APTGT300DA170D3G
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Microchip Technology
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Transistors - IGBTs - Modules
- D3-11
- IGBT Modules DOR CC7010View in Development Tools Selector
Date Sheet
在庫數 2758
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Package / Case：D3-11
- Mounting Type：Chassis Mount
- Mount：Chassis Mount, Screw
- Number of Pins：5
- Supplier Device Package：D3
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：1.7 kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2 V
- Continuous Collector Current at 25 C：400 A
- Gate-Emitter Leakage Current：400 nA
- Pd - Power Dissipation：1.47 kW
- Minimum Operating Temperature：- 40 C
- Maximum Operating Temperature：+ 125 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：Chassis Mount
- Maximum Gate Emitter Voltage：20 V
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：530 A
- Base Product Number：APTGT300
- Mfr：Microchip Technology
- Product Status：Active
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.7 kV
- Packaging：Bulk
- Operating Temperature：-40°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Max Operating Temperature：150 °C
- Min Operating Temperature：-40 °C
- Max Power Dissipation：1.47 kW
- Configuration：Single
- Element Configuration：Single
- Power - Max：1470 W
- Input：Standard
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：1.7 kV
- Max Collector Current：530 A
- Current - Collector Cutoff (Max)：8 mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：1700 V
- Input Capacitance：26 nF
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.4V @ 15V, 300A
- Continuous Collector Current：400
- IGBT Type：Trench Field Stop
- NTC Thermistor：No
- Input Capacitance (Cies) @ Vce：26 nF @ 25 V
- Product：IGBT Silicon Modules
在庫數 2758
小計金額 $0.00000
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