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APT35GN120BG
-
Microchip Technology
-
Transistors - IGBTs - Single
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
在庫數 124
- 1+： $6.88827
- 10+： $6.49837
- 100+： $6.13053
- 500+： $5.78352
- 1000+： $5.45615
小計金額 $6.88827
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-247-3
- Mounting Type：Through Hole
- Supplier Device Package：TO-247 [B]
- RoHS：Details
- Mounting Styles：Through Hole
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：1.2 kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.7 V
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 30 V, + 30 V
- Continuous Collector Current at 25 C：94 A
- Pd - Power Dissipation：379 W
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Continuous Collector Current Ic Max：94 A
- Gate-Emitter Leakage Current：600 nA
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：1.340411 oz
- Package：Tube
- Current-Collector (Ic) (Max)：94 A
- Base Product Number：APT35GN120
- Mfr：Microchip Technology
- Product Status：Active
- Test Conditions：800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Configuration：Single
- Power Dissipation：379
- Input Type：Standard
- Power - Max：379 W
- Operating Temperature Range：- 55 C to + 150 C
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：1200 V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 35A
- Continuous Collector Current：94 A
- IGBT Type：NPT, Trench Field Stop
- Gate Charge：220 nC
- Current - Collector Pulsed (Icm)：105 A
- Td (on/off) @ 25°C：24ns/300ns
- Switching Energy：2.315mJ (off)
- Height：5.31 mm
- Length：21.46 mm
- Width：16.26 mm
在庫數 124
- 1+： $6.88827
- 10+： $6.49837
- 100+： $6.13053
- 500+： $5.78352
- 1000+： $5.45615
小計金額 $6.88827
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