日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
APT50GR120B2
-
Microchip Technology
-
Transistors - IGBTs - Modules
- TO-247-3
- IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet
在庫數 23
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-247-3
- Mounting Type：Through Hole
- Supplier Device Package：TO-247
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：1200 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3.5 V
- Continuous Collector Current at 25 C：117 A
- Gate-Emitter Leakage Current：250 nA
- Pd - Power Dissipation：694 W
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Maximum Gate Emitter Voltage：30 V
- Mounting Styles：Through Hole
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：0.211644 oz
- Test Conditions：600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
- Product Status：Active
- Mfr：Microchip Technology
- Base Product Number：APT50GR120
- Current-Collector (Ic) (Max)：117 A
- Package：Tube
- Packaging：Tube
- Series：-
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuration：Single
- Input Type：Standard
- Power - Max：694 W
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：1200 V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 50A
- IGBT Type：NPT
- Gate Charge：445 nC
- Current - Collector Pulsed (Icm)：200 A
- Td (on/off) @ 25°C：28ns/237ns
- Switching Energy：2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
- Product：IGBT Silicon Modules
在庫數 23
小計金額 $0.00000
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
