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画像はあくまで参考です。
APT10035B2FLLG
-
Microchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- T-MAX-3
- MOSFET FG, FREDFET,1000V, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
在庫數 17
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：T-MAX-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：T-MAX™ [B2]
- Unit Weight：0.208116 oz
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：Through Hole
- RoHS：Details
- Package：Tube
- Base Product Number：APT10035
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Power Dissipation (Max)：690W (Tc)
- Product Status：Active
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA
- Number of Elements：1
- Voltage Rating (DC)：1 kV
- Turn Off Delay Time：36 ns
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：POWER MOS 7®
- Part Status：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Max Operating Temperature：150 °C
- Min Operating Temperature：-55 °C
- Max Power Dissipation：690 W
- Current Rating：28 A
- Power Dissipation：690 W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：370mOhm @ 14A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5185 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：186 nC @ 10 V
- Rise Time：10 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1000 V
- Vgs (Max)：±30V
- Continuous Drain Current (ID)：28 A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30 V
- Input Capacitance：5.185 nF
- FET Feature：-
- Rds On Max：370 mΩ
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 17
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