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2N4233A
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Microchip Technology
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet
在庫數 43
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- RoHS：N
- Mounting Styles：Through Hole
- Transistor Polarity：NPN
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：80 V
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700 mV
- Maximum DC Collector Current：5 A
- Pd - Power Dissipation：75 W
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：0.485178 oz
- Package：Bulk
- Base Product Number：2N4233
- Mfr：Microchip Technology
- Product Status：Active
- Package Description：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：2N4233A
- Package Shape：ROUND
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.07
- Part Package Code：TO-66
- Packaging：Tray
- Series：*
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：2
- JESD-30 Code：O-MBFM-P2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：Single
- Polarity/Channel Type：NPN
- JEDEC-95 Code：TO-66
- Collector Base Voltage (VCBO)：80 V
- Collector Current-Max (IC)：5 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：25
- Collector-Emitter Voltage-Max：80 V
在庫數 43
小計金額 $0.00000
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