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STD12N60M6
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DPAK-3
- MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFETComplete Your Design
Date Sheet
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：DPAK-3
- Mounting Type：Surface Mount
- Supplier Device Package：DPAK (TO-252)
- RoHS：Details
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V
- Id - Continuous Drain Current：9 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：450 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 25 V, + 25 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4.75 V
- Qg - Gate Charge：12.3 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：96 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：MDmesh
- Fall Time：9.9 ns
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Typical Turn-Off Delay Time：23.9 ns
- Typical Turn-On Delay Time：16.6 ns
- Unit Weight：0.012699 oz
- Continuous Drain Current Id：9
- Package：Bulk
- Base Product Number：STD12
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：STMicroelectronics
- Power Dissipation (Max)：96W (Tc)
- Product Status：Active
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Qualification：-
- Packaging：Reel
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Number of Channels：1 Channel
- Power Dissipation：96
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：450mOhm @ 4.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.75V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：452 pF @ 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12.3 nC @ 10 V
- Rise Time：6.4 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600 V
- Vgs (Max)：±25V
- Transistor Type：1 N-Channel
- Channel Type：N Channel
- FET Feature：-
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
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