日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
2N4150
-
Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-5-3
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet
在庫數 92
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-5-3
- Mounting Type：Through Hole
- Supplier Device Package：TO-5AA
- RoHS：N
- Mounting Styles：Through Hole
- Transistor Polarity：NPN
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：70 V
- Emitter- Base Voltage VEBO：10 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
- Maximum DC Collector Current：10 A
- Pd - Power Dissipation：1 W
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：50 at 1 A, 5 VDC
- DC Current Gain hFE Max：200 at 1 A, 5 VDC
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：0.164906 oz
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：10 A
- Base Product Number：2N4150
- Mfr：Microchip Technology
- Product Status：Active
- Packaging：Bulk
- Operating Temperature：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Series：-
- Configuration：Single
- Power - Max：1 W
- Transistor Type：NPN
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 1A, 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10µA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.5V @ 1A, 10A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：70 V
- Frequency - Transition：-
- Collector Base Voltage (VCBO)：100 V
在庫數 92
小計金額 $0.00000
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
