日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
2N2895
-
Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-18-3
- Bipolar Transistors - BJT BJTs
Date Sheet
在庫數 29
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-18-3
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- RoHS：N
- Mounting Styles：Through Hole
- Transistor Polarity：NPN
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：65 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
- Pd - Power Dissipation：1.8 W
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：40
- DC Current Gain hFE Max：120
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Package：Bulk
- Mfr：Microchip Technology
- Product Status：Active
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：No
- Transition Frequency-Nom (fT)：120 MHz
- Manufacturer Part Number：2N2895
- Package Shape：ROUND
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.21
- Packaging：Bulk
- Series：*
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- JESD-30 Code：O-MBCY-W3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：Single
- Polarity/Channel Type：NPN
- JEDEC-95 Code：TO-206AA
- Collector Base Voltage (VCBO)：120 V
- Power Dissipation-Max (Abs)：0.5 W
- Collector Current-Max (IC)：1 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：40
- Continuous Collector Current：1 A
- Collector-Emitter Voltage-Max：65 V
在庫數 29
小計金額 $0.00000
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
