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仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：1 Week
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Part Number：FDB024N04AL7
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
- Manufacturer Package Code：418AY
- Risk Rank：1.57
- Drain Current-Max (ID)：100 A
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- JESD-30 Code：R-PSSO-G6
- Qualification Status：Not Qualified
- Brand Name：ON Semiconductor
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：219 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0024 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：876 A
- DS Breakdown Voltage-Min：40 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：864 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：214 W
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