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D2212UK
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TT Electronics
-
Integrated Circuits (ICs)
- DP
- RF MOSFET Transistors Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Surface Mount：YES
- Package / Case：DP
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Part Number：D2212UK
- Rohs Code：Yes
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：SEMELAB LTD
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Risk Rank：5.1
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：40 V
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Id - Continuous Drain Current：8 A
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：GOLD
- Additional Feature：LOW NOISE
- Technology：Si
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-CDFM-F2
- Qualification Status：Not Qualified
- Operating Frequency：1 GHz
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：SOURCE
- Output Power：10 W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Gain：10 dB
- DS Breakdown Voltage-Min：40 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Highest Frequency Band：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
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