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仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：1 Week
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Part Number：HUF76609D3ST
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Manufacturer Package Code：369AS
- Risk Rank：0.74
- Drain Current-Max (ID)：10 A
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Brand Name：ON Semiconductor
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：10 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.168 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：100 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：49 W
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