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2N5003
-
Microchip
-
Integrated Circuits (ICs)
- Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin TO-59 Tray
Date Sheet
在庫數 2378
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Surface Mount：NO
- Mount：Stud
- Number of Pins：3
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Part Number：2N5003
- Rohs Code：No
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Package Description：HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
- Risk Rank：5.14
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Package Body Material：METAL
- Package Shape：ROUND
- Package Style：POST/STUD MOUNT
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Package：Bulk
- Base Product Number：2N5003
- Mfr：Microchip Technology
- Product Status：Active
- RoHS：Compliant
- Series：*
- Packaging：Bulk
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- Max Operating Temperature：200 °C
- Min Operating Temperature：-65 °C
- HTS Code：8541.29.00.95
- Max Power Dissipation：2 W
- Technology：Si
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：O-MUPM-X3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80 V
- Max Collector Current：5 A
- JEDEC-95 Code：TO-59
- Collector Base Voltage (VCBO)：100 V
- Power Dissipation-Max (Abs)：58 W
- Collector Current-Max (IC)：5 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：20
- Collector-Emitter Voltage-Max：80 V
- Radiation Hardening：No
在庫數 2378
小計金額 $0.00000
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