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MDS60L
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Microchip
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Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Trans GP BJT 65V 4A 3-Pin Case 55AW
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Surface Mount：YES
- Mount：Chassis Mount, Screw
- Number of Pins：3
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Part Number：MDS60L
- Rohs Code：No
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Package Description：HERMETIC SEALED PACKAGE-2
- Risk Rank：5.85
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65 V
- RoHS：Compliant
- Packaging：Bulk
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- Max Operating Temperature：200 °C
- Min Operating Temperature：-65 °C
- Max Power Dissipation：120 W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：2
- JESD-30 Code：R-CDFM-F2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Power Dissipation：120 W
- Case Connection：BASE
- Polarity/Channel Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：65 V
- Max Collector Current：4 A
- Gain：10 dB
- Transition Frequency：1.09 GHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：65 V
- Power Dissipation-Max (Abs)：120 W
- Emitter Base Voltage (VEBO)：3.5 V
- DC Current Gain-Min (hFE)：20
- Collector-Emitter Voltage-Max：65 V
- Highest Frequency Band：L BAND
- Radiation Hardening：No
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