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FDC638P-P
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Axial
- MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Package / Case：Axial
- Mounting Type：Surface Mount
- Supplier Device Package：Axial
- Package：Tape & Reel (TR)
- Base Product Number：FDC638
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V, 4.5V
- Mfr：onsemi
- Power Dissipation (Max)：1.6W (Ta)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-65°C ~ 175°C
- Series：Military, MIL-R-10509/8, RN50
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Size / Dimension：0.065 Dia x 0.150 L (1.65mm x 3.81mm)
- Tolerance：±0.1%
- Part Status：Active
- Number of Terminations：2
- Temperature Coefficient：±50ppm/°C
- Resistance：19.6 kOhms
- Composition：Metal Film
- Power (Watts)：0.05W, 1/20W
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- Failure Rate：--
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：48mOhm @ 4.5A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1160 pF @ 10 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：14 nC @ 4.5 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20 V
- Vgs (Max)：±8V
- FET Feature：-
- Features：Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety
- Height Seated (Max)：--
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