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BLW85
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Axial
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
在庫數 4
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：Axial
- Supplier Device Package：Axial
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：105 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：10
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：Screw Mount
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- Maximum DC Collector Current：22 A
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：16 V
- Operating Temperature：-55°C ~ 250°C
- Series：Military, MIL-PRF-39007, RWR80S
- Packaging：Bulk
- Size / Dimension：0.094 Dia x 0.406 L (2.39mm x 10.31mm)
- Tolerance：±1%
- Part Status：Active
- Number of Terminations：2
- Temperature Coefficient：±20ppm/°C
- Type：RF Bipolar Power
- Resistance：30.9 Ohms
- Composition：Wirewound
- Power (Watts)：2W
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Operating Frequency：175 MHz
- Failure Rate：M (1%)
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar Power
- Continuous Collector Current：9 A
- Features：Military, Moisture Resistant
- Product Category：RF Bipolar Transistors
- Height Seated (Max)：--
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