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2N5681
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STMicroelectronics
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：30 MHz
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100 V
- Power Dissipation (Max)：1 W
- hFEMin：40
- RoHS：Non-Compliant
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：No
- Transition Frequency-Nom (fT)：30 MHz
- Manufacturer Part Number：2N5681
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.13
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- Max Operating Temperature：150 °C
- Min Operating Temperature：-65 °C
- HTS Code：8541.29.00.95
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：O-MBCY-W3
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Configuration：SINGLE
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1 W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100 V
- Max Collector Current：1 A
- JEDEC-95 Code：TO-5
- Collector Base Voltage (VCBO)：100 V
- Power Dissipation-Max (Abs)：10 W
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4 V
- Collector Current-Max (IC)：1 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：5
- Collector-Emitter Voltage-Max：100 V
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小計金額 $0.00000
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