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APTGT50DA170D1G
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Microchip
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Transistors - IGBTs - Modules
- Igbt 1700V 70A 310W D1
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Mount：Chassis Mount
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.7 kV
- RoHS：Compliant
- Max Power Dissipation：310 W
- Element Configuration：Single
- Input：Standard
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：2.4 V
- Max Collector Current：70 A
- Input Capacitance：4.4 nF
- NTC Thermistor：No
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