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JAN2N3584
-
Microchip
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-66-2
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet
在庫數 2841
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-66-2
- Mounting Type：Through Hole
- Supplier Device Package：TO-66 (TO-213AA)
- Package：Bulk
- Mfr：KYOCERA AVX
- Product Status：Active
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Pd - Power Dissipation：35 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：25
- Collector-Emitter Saturation Voltage：750 mV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：Through Hole
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip / Microsemi
- Maximum DC Collector Current：2 A
- DC Current Gain hFE Max：100
- RoHS：N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：250 V
- Current-Collector (Ic) (Max)：2 A
- Series：*
- Packaging：Tray
- Operating Temperature：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Configuration：Single
- Power - Max：2.5 W
- Product Type：BJTs - Bipolar Transistors
- Transistor Type：NPN
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：25 @ 1A, 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：5mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：750mV @ 125mA, 1A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：250 V
- Frequency - Transition：-
- Collector Base Voltage (VCBO)：375 V
- Continuous Collector Current：2 A
- Product Category：Bipolar Transistors - BJT
在庫數 2841
小計金額 $0.00000
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