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画像はあくまで参考です。
BCW33 215
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NXP
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 32V 250mW 100mA 420@2mA5V 100MHz [email protected] NPN 150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Date Sheet
在庫數 75038
- 1+： $0.03339
- 10+： $0.03150
- 100+： $0.02972
- 500+： $0.02804
- 1000+： $0.02645
小計金額 $0.03339
仕様 よくある質問
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：TO-236AB
- Weight：4.535924 g
- Package：Retail Package
- Mfr：Glenair
- Product Status：Active
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：32 V
- hFEMin：420
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
- Series：*
- Operating Temperature：150°C (TJ)
- Max Operating Temperature：150 °C
- Min Operating Temperature：-65 °C
- Max Power Dissipation：250 mW
- Frequency：100 MHz
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：250 mW
- Power - Max：250 mW
- Gain Bandwidth Product：100 MHz
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：32 V
- Max Collector Current：100 mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：420 @ 2mA, 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA (ICBO)
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：210mV @ 2.5mA, 50mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：32 V
- Transition Frequency：100 MHz
- Max Breakdown Voltage：32 V
- Frequency - Transition：100MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：32 V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5 V
- Width：6.35 mm
- Height：6.35 mm
- Length：6.35 mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 75038
- 1+： $0.03339
- 10+： $0.03150
- 100+： $0.02972
- 500+： $0.02804
- 1000+： $0.02645
小計金額 $0.03339
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