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BDS13
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TT Electronics
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO220M-3
- Bipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR POWER
Date Sheet
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小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO220M-3
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：43.75 W
- Transistor Polarity：PNP
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：15 at -5 A, - 4 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3 V
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：Through Hole
- Gain Bandwidth Product fT：3 MHz
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：60 V
- Technology：Si
- Configuration：Single
- Collector Base Voltage (VCBO)：60 V
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