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MRF587
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Case244-04
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Package / Case：Case244-04
- Emitter- Base Voltage VEBO：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：5 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：50
- Unit Weight：0.429323 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：Through Hole
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：17 V
- Packaging：Tray
- Type：RF Bipolar Power
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Operating Frequency：500 MHz
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar Power
- Continuous Collector Current：200 mA
- Product Category：RF Bipolar Transistors
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