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MRF221
-
Advanced
-
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 211-07
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
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小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：211-07
- Surface Mount：NO
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：31 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：5
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：Screw Mount
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：18 V
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Transition Frequency-Nom (fT)：175 MHz
- Manufacturer Part Number：MRF221
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：ASI SEMICONDUCTOR INC
- Risk Rank：5.6
- Packaging：Tray
- Type：RF Bipolar Power
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Reach Compliance Code：unknown
- Operating Frequency：175 MHz
- Configuration：Single
- Polarity/Channel Type：NPN
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar Power
- Power Dissipation-Max (Abs)：31 W
- Collector Current-Max (IC)：2.5 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：5
- Continuous Collector Current：2.5 A
- Product Category：RF Bipolar Transistors
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