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MS2341
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Microchip
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Trans GP BJT NPN 2.6A 4-Pin Case M-115
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Mount：Chassis Mount, Surface Mount
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：4
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- RoHS：Compliant
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65 V
- Package Description：M115, 4 PIN
- Package Style：DISK BUTTON
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：MS2341
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.63
- Packaging：Bulk
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- Max Operating Temperature：200 °C
- Min Operating Temperature：-65 °C
- Subcategory：Other Transistors
- Max Power Dissipation：87.5 W
- Terminal Position：RADIAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：O-CRDB-F4
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Configuration：SINGLE
- Power Dissipation：87.5 W
- Case Connection：BASE
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Max Collector Current：2.6 A
- Gain：9 dB
- Transition Frequency：1.15 GHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：65 V
- Power Dissipation-Max (Abs)：87.5 W
- Emitter Base Voltage (VEBO)：3.5 V
- Collector Current-Max (IC)：2.6 A
- Highest Frequency Band：L BAND
- Radiation Hardening：No
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