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2N6439
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 316-01
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
在庫數 10
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：316-01
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：146 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：10
- Unit Weight：0.836769 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：Screw Mount
- Gain Bandwidth Product fT：400 MHz
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：33 V
- Packaging：Tray
- Type：RF Bipolar Power
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Operating Frequency：400 MHz
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar Power
- Product Category：RF Bipolar Transistors
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