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APTGT30DA170D1G
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Microsemi Corporation
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Transistors - IGBTs - Modules
- D1
- IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Mount：Chassis Mount
- Mounting Type：Chassis Mount
- Package / Case：D1
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.7kV
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-40°C~150°C TJ
- Published：2007
- JESD-609 Code：e1
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Discontinued
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：7
- Terminal Finish：TIN SILVER COPPER
- Max Power Dissipation：210W
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Pin Count：7
- JESD-30 Code：R-XUFM-X7
- Configuration：Single
- Case Connection：ISOLATED
- Power - Max：210W
- Transistor Application：MOTOR CONTROL
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Input：Standard
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：2.4V
- Max Collector Current：45A
- Current - Collector Cutoff (Max)：3mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：1700V
- Input Capacitance：2.5nF
- Turn On Time：330 ns
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.4V @ 15V, 30A
- Turn Off Time-Nom (toff)：965 ns
- IGBT Type：Trench Field Stop
- NTC Thermistor：No
- Input Capacitance (Cies) @ Vce：2.5nF @ 25V
- RoHS Status：RoHS Compliant
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