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画像はあくまで参考です。
BC546BTA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Date Sheet
在庫數 6000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240.007063mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：110
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：65V
- Max Power Dissipation：500mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：100mA
- Frequency：300MHz
- Base Part Number：BC546
- Voltage：65V
- Element Configuration：Single
- Current：100mA
- Power Dissipation：500mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：300MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：65V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：300MHz
- Max Breakdown Voltage：65V
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：4.58mm
- Length：4.58mm
- Width：3.86mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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