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2N5195
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- STMICROELECTRONICS 2N5195 Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, -80 V, 2 MHz, 40 W, -4 A, 20 hFE
Date Sheet
在庫數 200
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1.2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-80V
- Max Power Dissipation：40W
- Current Rating：-4A
- Frequency：2MHz
- Base Part Number：2N51
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：40W
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：2MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 1.5A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.2V @ 1A, 4A
- Transition Frequency：2MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：6.35mm
- Length：25.4mm
- Width：6.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 200
小計金額 $0.00000
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