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画像はあくまで参考です。
MJD253T4
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS PNP 100V 4A DPAK
Date Sheet
在庫數 518
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：no
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn80Pb20)
- Voltage - Rated DC：-100V
- Max Power Dissipation：1.4W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：-4A
- Frequency：40MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：MJD253
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.4W
- Case Connection：COLLECTOR
- Power - Max：12.5W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：40MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 200mA 1V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：40MHz
- Max Breakdown Voltage：100V
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
在庫數 518
小計金額 $0.00000
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