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画像はあくまで参考です。
FJP3305H2TU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 400V 4A TO-220
Date Sheet
在庫數 28000
- 1+： $1.45202
- 10+： $1.36983
- 100+： $1.29229
- 500+： $1.21915
- 1000+： $1.15014
小計金額 $1.45202
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：8
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：700V
- Max Power Dissipation：75W
- Current Rating：4A
- Frequency：4MHz
- Base Part Number：FJP3305
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：75W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：4MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：400V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：26 @ 1A 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA ICBO
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 1A, 4A
- Transition Frequency：4MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：700V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：9V
- Height：16.51mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 28000
- 1+： $1.45202
- 10+： $1.36983
- 100+： $1.29229
- 500+： $1.21915
- 1000+： $1.15014
小計金額 $1.45202
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