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画像はあくまで参考です。
BC618G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：55V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2007
- JESD-609 Code：e1
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Voltage - Rated DC：55V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：1A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BC618
- Pin Count：3
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：55V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10000 @ 200mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.1V @ 200μA, 200mA
- Transition Frequency：150MHz
- Frequency - Transition：150MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Continuous Collector Current：1A
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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