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画像はあくまで参考です。
BC640G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS PNP 80V 0.5A TO-92
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：150MHz
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2005
- JESD-609 Code：e1
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Voltage - Rated DC：-80V
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-500mA
- Frequency：150MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BC640
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：500mV
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：150MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：-80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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