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MJD243
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 100V 4A DPAK-3
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
- Surface Mount：YES
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- hFEMin：40
- Number of Elements：1
- Published：2007
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：no
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS Code：8541.29.00.75
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：1.4W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：4A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：MJD243
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：40MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：600mV
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 200mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 100mA, 1A
- Transition Frequency：40MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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