QS5K2TR

ROHM Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Date Sheet

在庫數 45000

1+： $0.85857
10+： $0.80997
100+： $0.76412
500+： $0.72087
1000+： $0.68006

小計金額 $0.85857

仕様よくある質問

Factory Lead Time：20 Weeks
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Number of Pins：5
Transistor Element Material：SILICON
Number of Elements：2
Turn Off Delay Time：21 ns
Operating Temperature：150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Published：2006
JESD-609 Code：e1
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：5
ECCN Code：EAR99
Resistance：100MOhm
Terminal Finish：TIN SILVER COPPER
Voltage - Rated DC：30V
Max Power Dissipation：1.25W
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：260
Current Rating：2A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
Base Part Number：*K2
Pin Count：5
Element Configuration：Dual
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：1.25W
Turn On Delay Time：8 ns
FET Type：2 N-Channel (Dual) Common Source
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：100m Ω @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：175pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：3.9nC @ 4.5V
Rise Time：10ns
Fall Time (Typ)：10 ns
Continuous Drain Current (ID)：2A
Threshold Voltage：1.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：2A
Drain to Source Breakdown Voltage：30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8A
FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature：Logic Level Gate
Nominal Vgs：1.5 V
Height：850μm
Length：2.9mm
Width：1.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

在庫數 45000

1+： $0.85857
10+： $0.80997
100+： $0.76412
500+： $0.72087
1000+： $0.68006

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