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画像はあくまで参考です。
NDC7002N
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Date Sheet
在庫數 180
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：11 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：1998
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2Ohm
- Voltage - Rated DC：50V
- Max Power Dissipation：700mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：350mA
- Number of Channels：2
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：960mW
- Turn On Delay Time：6 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2 Ω @ 510mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：20pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：1nC @ 10V
- Rise Time：6ns
- Fall Time (Typ)：6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：510mA
- Threshold Voltage：1.9V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.51A
- Drain to Source Breakdown Voltage：50V
- Dual Supply Voltage：50V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：1.9 V
- Height：900μm
- Length：3mm
- Width：1.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 180
小計金額 $0.00000
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