FDS6898AZ

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Date Sheet

在庫數 494220

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仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time：10 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins：8
Weight：187mg
Transistor Element Material：SILICON
Number of Elements：2
Turn Off Delay Time：34 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：PowerTrench®
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：8
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：14MOhm
Additional Feature：ESD PROTECTED
Voltage - Rated DC：20V
Max Power Dissipation：2W
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
Current Rating：9.4A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
Qualification Status：Not Qualified
Element Configuration：Dual
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：2W
Turn On Delay Time：10 ns
Power - Max：900mW
FET Type：2 N-Channel (Dual)
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：14m Ω @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1821pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：23nC @ 4.5V
Rise Time：15ns
Fall Time (Typ)：16 ns
Continuous Drain Current (ID)：9.4A
Threshold Voltage：1V
Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
Drain to Source Breakdown Voltage：20V
Dual Supply Voltage：20V
FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature：Logic Level Gate
Nominal Vgs：1 V
Height：1.5mm
Length：5mm
Width：4mm
REACH SVHC：No SVHC
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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