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HF75-28F
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：140 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：10 at 1 A, 5 V
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：30 MHz
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- DC Current Gain hFE Max：100 at 1 A, 5 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：35 V
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Configuration：Single
- Product Type：BJTs - Bipolar Transistors
- Collector Base Voltage (VCBO)：60 V
- Continuous Collector Current：10 A
- Product Category：Bipolar Transistors - BJT
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