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STS4DNF60
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N Ch 60V 0.070 Ohm 4A
Date Sheet
在庫數 10001
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：17 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LOW THRESHOLD
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STS4D
- Pin Count：8
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：7 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：90m Ω @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：315pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 10V
- Rise Time：18ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Fall Time (Typ)：6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain-source On Resistance-Max：0.09Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：16A
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 10001
小計金額 $0.00000
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