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STS3C2F100
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N Ch 100V 0.110 OHM 3A
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仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：33 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- JESD-609 Code：e4
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：NICKEL PALLADIUM GOLD
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：3A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STS3D
- Pin Count：8
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- FET Type：N and P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：145m Ω @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：460pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：20nC @ 10V
- Rise Time：20ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Fall Time (Typ)：7.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain-source On Resistance-Max：0.145Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
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