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画像はあくまで参考です。
2N7002-G
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Microchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Mosfet; N-channel Enhancement Mode; 60V; 7.5 OHM3 SOT-23T/R
Date Sheet
在庫數 126688
- 1+： $0.57857
- 10+： $0.54582
- 100+： $0.51493
- 500+： $0.48578
- 1000+： $0.45828
小計金額 $0.57857
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.437803g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA Tj
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：360mW Ta
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：HIGH INPUT IMPEDANCE
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：360mW
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.5 Ω @ 500mA, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：50pF @ 25V
- Vgs (Max)：±30V
- Continuous Drain Current (ID)：115mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Ambient Temperature Range High：150°C
- Feedback Cap-Max (Crss)：5 pF
- Height：1.12mm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 126688
- 1+： $0.57857
- 10+： $0.54582
- 100+： $0.51493
- 500+： $0.48578
- 1000+： $0.45828
小計金額 $0.57857
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