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画像はあくまで参考です。
STP65NF06
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
Date Sheet
在庫數 43900
- 1+： $1.17510
- 10+： $1.10859
- 100+： $1.04584
- 500+： $0.98664
- 1000+： $0.93079
小計金額 $1.17510
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：60A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STP65N
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：14m Ω @ 30A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：75nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±20V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：60A
- Drain-source On Resistance-Max：0.014Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：240A
- DS Breakdown Voltage-Min：60V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：390 mJ
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 43900
- 1+： $1.17510
- 10+： $1.10859
- 100+： $1.04584
- 500+： $0.98664
- 1000+： $0.93079
小計金額 $1.17510
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