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STD5N80K5
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
Date Sheet
在庫數 260
- 1+： $1.95499
- 10+： $1.84433
- 100+： $1.73993
- 500+： $1.64144
- 1000+： $1.54853
小計金額 $1.95499
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD5N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.75 Ω @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：177pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：5nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：800V
- Vgs (Max)：±30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：16A
- DS Breakdown Voltage-Min：800V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：165 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 260
- 1+： $1.95499
- 10+： $1.84433
- 100+： $1.73993
- 500+： $1.64144
- 1000+： $1.54853
小計金額 $1.95499
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