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IRF520
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：IRF5
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：270m Ω @ 7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：460pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：22nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：10A
- Drain-source On Resistance-Max：0.27Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- DS Breakdown Voltage-Min：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：100 mJ
- Feedback Cap-Max (Crss)：100 pF
- Turn Off Time-Max (toff)：50ns
- Turn On Time-Max (ton)：115ns
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
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