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画像はあくまで参考です。
IRF530
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
Date Sheet
在庫數 280
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：14A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：IRF5
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：60W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 7A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：458pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：21nC @ 10V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：14A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：56A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：70 mJ
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
在庫數 280
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