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画像はあくまで参考です。
IRF730
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220
Date Sheet
在庫數 268
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Turn Off Delay Time：15 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Packaging：Tube
- Series：PowerMESH™ II
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING
- Voltage - Rated DC：400V
- Current Rating：5.5A
- Base Part Number：IRF7
- Voltage：400V
- Element Configuration：Single
- Current：55A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：100W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1 Ω @ 3A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：530pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：24nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.5A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：1Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：400V
- Feedback Cap-Max (Crss)：65 pF
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Contains Lead
在庫數 268
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